Toshiba(东芝)
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)
Toshiba(东芝)
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT
Toshiba(东芝)
漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 栅源极阈值电压：1.5V @ 100uA 漏源导通电阻：3.6Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道
Toshiba(东芝)
Small Signal Field-Effect Transistor
