Vishay(威世)

VISHAY SILICONIX - SI4497DY-T1-GE3 - MOSFET; P-CH; -30V; -36A; SOIC-8; FULL REEL

Vishay(威世)

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7.8W(Tc) 类型：P沟道

Vishay(威世)

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET