并联增强型氮化镓场效应晶体管提高转换器性能-网络及通信技术相关资料下载-EEWORLD下载中心

文档简介

标签：场效应晶体管寄生电感开关阈值电压

　　氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。　　增强型氮化镓(eGaN)FET与硅功率MOSFET相比有许多优势，而且就像MOSFET一样，许多设计人员想通过并联器件来提高其转换器的功率性能。因为eGaN FET的开关速度要比商用MOSFET快十倍，所以并联会带来许多新挑战。这篇文章分成两部分，讨论了这些挑战并提出了如何获得优异性能的建议。

加载更多

推荐下载

                        LCR测试议（电桥）的原理及使用方法

                        PROFINET及其同步实时通信分析

                        无线电1996年合订本 573页 25.1M.part3

                        嵌入式系统中USB-HOST实现

                        Zigbee无线组网技术的研究

                        数据通信技术(华为资料)

                        超声波点焊原理介绍

                        物联网设备即插即用技术研究

                        工业以太网中DHCP协议应用技术分析

                        便携式微弱振动加速度测量系统

                        COM技术在软件可测试性中的应用

                        AMD 嵌入 CPU 开发的原理图和PCB文件

                        基于GPS的倒计时系统设计

                        GNSS软件接收机的框架结构及原型系统开发

                        深入浅出Android--Google手持设备应用程序设计

                        Vector Quantization

                        LT8900中文数据手册

                        基于多线程技术的多串口通信

                        通信接口芯片资料

                        OFDM help material for channel estimation

                        低功耗无线温室监控系统的研制

                        KDDI SDK

                        信息论答案

                        Antenna-on-chip and antenna-in-package.pdf

                        无线传感器网络综述

                        EPON技术白皮书(初稿)

                        收集整理的OFBiz开发指南,包括快速上手,技术产品设置,业务设置等

                        基于通信网络维修检测系统的故障诊断的设计

                        网络最大流Pareto扩充研究

                        射频微波大百科全书

精选文集