本文论述了基本非易失存储器（NVM）的基本概念。第一部分介绍了NVM的基本情况，包括NVM的背景以及常用的存储器术语。第二部分我将介绍怎样通过热电子注入实现NVM的编程。第三部分包括了用FOWLER-NORDHEIM 隧道效应实现对NVM的擦除。同时，简单的FN隧道效应的原理也将在这里给大家做一个说明。第四部分介绍了用于预测NVM编程特性的模型—热电子注入机制所依赖的“幸运电子”模型。最后一部分介绍了NVM可靠性方面的问题，如数据保持能力（DATA RETENTION）,耐久力（ENDURANCE）,和干扰（DISTURB）。关键字：非易失，存储器，Flash，EPROM，EEPROM，热电子注入，隧道效应，可靠性，数据保持，耐久力，干扰，闪存