文档简介
标签：
高压铂扩散快恢复二极管的研究
本文对高压快恢复二极管的结构设计和制造工艺进行了深入分析，确定了合理的结构参数和先进的工艺流程。选用合适的电阻率和厚度的N 型直拉硅单晶片，采用磷硼纸源扩散，精确控制基区宽度形成P+NN+结构；采用铂液态源扩散降低少数载流子寿命τ从而缩短反向恢复时间trr；化学腐蚀形成台面提高反向击穿电压；玻璃钝化保护PN 结减小表面污染从而降低表面漏电流提高耐压；双面镀镍金进行金属化等技术。得到较为理想的反向击穿电压VBR，正向压降VF，反向恢复时间trr 三参数之间的折衷。器件性能优良，可靠性高，样品通过150°C/ 168 小时的高温反偏实验。
评论
加载更多
推荐下载
查看更多
精选文集
相关视频
-
直播回放： Keysight 小探头，大学问，别让探头拖累你的测试结果！
-
控制系统仿真与CAD
-
MIT 6.622 Power Electronics
-
直播回放：基于英飞凌AIROC™ CYW20829低功耗蓝牙芯片的无线组网解决方案
-
直播回放：ADI & WT·世健MCU痛点问题探索季：MCU应用难题全力击破！
-
Soc Design Lab - NYCU 2023
推荐帖子
精选电路图
-
家用电源无载自动断电装置的设计与制作
-
PIC单片机控制的遥控防盗报警器电路
-
短波AM发射器电路设计图
-
开关电源的基本组成及工作原理
-
用NE555制作定时器
-
基于TDA2003的简单低功耗汽车立体声放大器电路
