本文采用 MEDICI 作为集成电路ESD 保护常用器件—栅极接地N 型MOS 管（GGNMOS）ESD 性能分析的仿真工具，综合分析了各种对GGNMOS 的ESD 性能有影响的因素，如衬底掺杂、栅长、接触孔距离等，为深亚微米下ESD 保护器件GGNMOS的设计提供了依据。通过分析发现衬底接触孔到栅极距离对GGNMOS 器件ESD 性能也有一定影响，此前，对这一因素的讨论较少。最后，根据分析结果，给出了一个符合ESD 性能要求的器件设计。关键词ESD，MEDICI，深亚微米GGNMOS