VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美国IR 公司推出VDMOS 结构，将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一个管芯包括几千个元胞，故要求线条细，光刻精度高。所以对外延片的电阻率均匀性要求高，对外延片表面的平整度和颗粒度要求也高，我公司的产品是为了功率VDMOS 管专门研制开发的。2、创新性和先进性功率 VDMOS 管用硅外延片系我公司与器件生产厂家密切配合，自主开发的新产品，属于原始创新。功率VDMOS 是一种电压控制型单极晶体管，它是通过栅极电压来控制漏极电流的，因而它的一个显著特点是驱动电路简单、驱动功率小； 仅由多数载流子导电，无少子存储效应，高频特性好，工作频率高达100kHz 以上，为所有电力电子器件中频率之最，因而最适合应用于开关电源、高频感应加热等高频场合；没有二次击穿问题，安全工作区广，耐破坏性强。它采用超大规模集成电路的精细加工技术，用N/N+外延结构，因此对外延片的有特殊的要求和标准。