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低压低功耗混频器的设计
本文对常见的混频器结构进行了调整，提出了一种新的混频器结构——低压低功耗混频器，分别降低了跨导级、本振级与输出负载正常工作时所消耗的直流电压降，从而达到降低电源电压的目的。采用1.5V TSMC 0.35 μm CMOS工艺进行仿真，该混频器仿真结果表明，电路转换增益为-10.5 dB，噪声系数为20.648 dBm，1 dB压缩点为-5.764dBm，三阶输入交调点为4.807 dBm。
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