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一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计zip

1星发布者: flexbuilder

2013-09-22 | 1积分 | 957.16KB | 0 次下载

文档简介

标签： LDMOS 射频集成电路

提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。

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