一种3第 36 卷第 1 期2006 年 2 月微 电 子 学Microelect ronicsVol1 36 , № 1 Feb1 2006一种 3. 8 GHz 0. 25 μm CMOS 低噪声放大器的设计王　 磊 , 余宁梅( 西安理工大学 电子工程系 , 陕西 西安 　 710048)　 摘　 要: 　 从优化电路结构出发 ,提出并设计了一种工作于 3. 8 GHz 的低噪声放大器 。与传统级 联结构相比 ,该电路引入了级间匹配网络 。级间匹配网络的实现 ,可以使整个电路的功率增益 、 噪 μ 声系数等关键性能指标得到改善 。电路采用 0. 25 m RF CMOS 工艺制作 ,用 Hspice 软件对电路 进行了模拟 。结果表明 ,该电路的正向功率增益为 15. 67 dB ,N F 为 2. 88 dB ,IIP3 为 - 0. 21 dBm , 功耗为 25. 79 mW 。 关键词 : 　 CMOS ; 低噪声放大器 ; 级间匹配网络 ; 片上螺旋电感 ; 噪声系数中图分类号 : 　TN722. 3 　　　　　 文献标识码 : 　 A 　　　　　　 文章编号 :100423365 (2006) 0120101204　Design of a 3 . 8 GHz 0 . 25 μm CMOS Lo w Noise Amplif ierWAN G Lei , YU Ning2mei( De pt. of Elect ronic En gi neeri n g , X i’ an Uni versit y of Technolog y , X i’ an , S haanx i 710048 , P. R. Chi na)　 Abstract : 　 A 3. 8 GHz low noise amplifier (L NA ) ……