HWD2163 采用外部控制的低功耗关断模式，立体耳机放大模式，以及内部热敏关断保护机制。并利用电路的特性减小噪声（滴答声及爆裂声）和失真度。注1：适当安置在电路板上的HWD2163IUPE 或HWD2163IVG能给4Ω的负载传送2.2W 的功率。其它HWD2163 的封装形式能给8Ω的负载传送1.1W 的功率。更进一步的详细情况参见应用信息部分关于HWD2163IUPE 和HWD2163IVG的介绍。注2：在凉爽、通风的环境中，适当安置在电路板上的HWD2163IUPE 或HWD2163IVG能给3Ω的负载传送2.5W 的功率。