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MOSFET器件性能及选用的3个原则MOSFET器件性能及选用的3个原则 MOSFET器件性能| | | | | | | | || | |IR第三 |MTW20N50E|IR新一代 |FQL |2SK |FQA24N50F||参数 |名称 |代 |(TYP) |IRFP460LC|40N50 |2370 |(TYP) || | |IRFP460| | | | | ||[pic](V) | | | | | | | || |漏—源击穿 |500 |500 |500 |500 |500 |500 || |电压 | | | | | | ||[pic](V) | | | | | | | || |栅源门限电| |2.0~3.0 | |3.0~5.0 |2.5~3.5| || |压 | | ……

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