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标签： MOS 电容器大纲

MOS 电容器大纲·通告：下发资料讲稿大纲和摘要下周三复习课将进行测验·定性描述：-热平衡状态下的金属氧化物半导体结构定义：金属/二氧化硅/p 型（例子：n-MOS）金属和硅有关的静电势：m零偏的情况：如果：m > pSi，硅表面耗尽反向偏置：从耗尽到平带到积累正向偏置：耗尽到临界到反型层·定量模型：热平衡状态下的金属氧化物耗尽近似法应用于S电容器平带电压：VFB积累层电荷密度：qA*最大耗尽宽度XDT开启电压：VT反型层电荷密度：qN*·偏置金属氧化物半导体在临近区域的应用耗尽层的宽度开启电压的影响

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