MRAM FeRAM PCM技術發展分析MRAM FeRAM PCM技術發展分析 | ||唐鴻／DIGITIMES ||2008/11/20 || ||目前研發中的快閃記憶體可以分為磁性隨機存取記憶體(Magnetic RAM)、非揮發性鐵電記 ||憶體(Ferro electric RAM)及相變化記憶體(Phase Change Memory；PCM或稱Ovonic ||Universal Memory；OUM)  3大類。這3類記憶體分別針對更低的耗電、更多寫入次數、更 ||有效清除方式，及更高效能的讀取速度…等要項進行突破… || ||非揮發性記憶體的技術與應用，原本在整個系統的記憶體中屬次要的非主流零組件，主因 ||是在切斷電源時還能保留記憶的儲存技術，通常寫入時須採更高的工作電壓與較長的寫入 ||時間，且讀/寫次數壽命受限。在寫入不易、次數不多狀況下，過去非揮發性記憶體只能用||於存取次數較不頻繁的功能性元件，例如，BIOS、嵌入式系統韌體…等。 ||不過，隨著消費性電子產品興起，需輕薄、迷你的儲存裝置，加上NAND……