与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。

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SiC 功率器件模块 使用手册 Rev 001    2013 年 3 月发行 13103CAY01  11  12 目录 1 SiC 半导体 3 SiC 材料的物性和特征  3 SiC 功率器件的特征  3 2 SiC SBD 的特征 4 21  器件结构和特征  4  22 SiCSBD 的正向特性  4 SiCSBD 的恢复特性  5 23 3 SiCMOSFET 的特征 7 31 器件结构和特征  7 32 标准化导通电阻  8 33 VdId 特性  9 34 驱动门极电压和导通电阻  9 35 VgId 特性  10 36 Turnon导通特性  11 37 Turnoff关断特性  12 38 内部门极电阻  13 39 门极驱动电路  14 310 体二极管的 Vf 和反向导通  15 311 体二极管的恢复特性  16 4 SiC 功率模块的特征 17 41 SiC 模块的特征  17 42 电路结构  17 ......