基于积累型MOS 变容管的射频压控振荡器设计作者：电子科技大学微电子与固体电子学院 易新敏 王向展 杨谟华关键词：射频，CMOS，MOS 变容管，压控振荡器摘要：本文基于0.35μm 工艺，考虑低压和低功耗，设计了一个工作频率为4.2GHz 的VCO，并在该电路中分别采用积累型MOS 电容和反型MOS 电容进行调谐。引言随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS 工艺实现压控振荡器(VCO)，是实现RF CMOS 集成收发机的关键。过去的VCO 电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件，然而在用实际工艺实现电路时，会发现变容二极管的品质因数通常都很小，这将影响到电路的性能。于是，人们便尝试采用其它可以用CMOS工艺实现的器件来代替一般的变容二极管，MOS 变容管便应运而生了。