文档简介
在深次微米半导体製程中，由于元件尺寸微缩，元件的静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD) 耐受度相对变差，因此静电放电防护设计在IC 设计时即必需被加入考量 [1]。通常商用IC 的静电放电耐受度必需通过人体放电模式(HumanBody Model, HBM) 2 kV 与机器放电模式(Machine Model, MM) 200 V 的测试[2]。为了能够承受如此高电压的静电放电测试，IC 上的静电放电防护元件常具有大元件尺寸的设计。为了尽可能节省晶粒面积，在佈局(layout)上，这种大尺寸的元件通常以指状(multi-finger)的方式来实现
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