设计了一种采用BiCMOS工艺的高精度能隙基准电压电路，该基准电压源主要用于线性稳压器。在CSMC 0.6um工艺条件下，使用CADAENCE SPECTRE仿真工具进行仿真可得温度在20C～80C变化时，其输出电压变化率为0.25mV/C；电源电压在4V～8V变化时，其输出电压变化率为6.25mV/V。基准电压源是模拟集成电路极为重要的组成部分。它对模拟电子技术的应用与发展具有重要作用。在许多集成电路电路中，如数模转换器（DAC）、模数转换器（ADC）、线性稳压器和开关稳压器都需要精密而又稳定的基准电压。因此基准电压电路对于温漂¸精度有关的指标要求比较高。为了实现高精度，通常都用硅半导体材料本身固有的特征电压作为基准电压，但由于硅半导体材料具有一定的温度系数，所以为解决温漂问题，通常选择一种与基准电压的温度系数极性相反但绝对值相近的器件或电路（如 BEVΔ电路），使两者结合起来，相互温度补偿，使总体温度系数近似为零。根据这个基本设计思路，基准电压一般可以分为三种：隐埋齐纳二极管基准电压、能隙基准电压、XFET基准电压。