《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》作者：郝跃、张金风、张进成

本书内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，AlCaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaNHEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS－HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》可供微电子、半导体器件和材料领域的研究生与科研人员阅读参考。