半导体芯片封装导线架脱层之研究Study on Delamination of Bottom Paddles ofLead Frames for Semiconductor Packaging本研究主要针对铜导线架晶座底层(Bottom paddle)与胶饼(Epoxymolding compound , EMC)间所产生的脱层(Delamination)现象作研究。将实验分为两组，一组为只经历黏晶粒与烘烤制程(Die attachment andepoxy curing);另一组为仅经焊线制程(Wire bonding)，而后进行封装(Molding)及封装后烘烤(Post molding cure, PMC)等后续一连串制程；最后藉由扫描式超音波显微镜(C-Mode Scanning Acoustic Microscope,C-SAM)及电子扫描显微镜(Scanning Electron Microscopy, SEM)等仪器，来辅助判断是否会发生导线架底座与胶饼间的脱层现象。而结果显示:1.黏晶粒与烘烤制程比较于仅有焊线制程，较易有发生导线架晶座底层脱层的危机。2.可得较佳的烘烤制程参数，其温度范围约在160 至 190°C 间，如果在低于160 或高于190°C，将可能会发生脱层现象。3.烤箱中有或无氮气的充填，对银胶的固化有绝对的影响，但不一定会产生导线架晶座底层的脱层。依现行导线架的IC 封装模式制程中，脱层在IC 封装中是一种重大的质量异常现象，且对产品本身的可靠性(Reliability)有绝对关键因素。