下载中心
RTD与PHEMT集成的关键工艺zip
1星 发布者: sinceyoulove

2013-09-22 | 1积分 | 144.12KB |  2 次下载

下载 收藏 评论

文档简介
标签: RTD

RTD

PHEMT

PHEMT

在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs=0.5V时的饱和电流约为270mA/mm.这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础.

评论
相关视频
  • littlefulse 多元新技术赋能安全可靠和高效

  • cadence allegro 快速入门实战100讲

  • PSpice简单入门教程

  • 集成电路版图设计技术

  • Digital VLSI Design (RTL to GDS)

  • Altium Designer常见问题解答500例视频合集

推荐帖子
精选电路图
  • PIC单片机控制的遥控防盗报警器电路

  • 使用ESP8266从NTP服务器获取时间并在OLED显示器上显示

  • 带有短路保护系统的5V直流稳压电源电路图

  • 如何构建一个触摸传感器电路

  • 如何调制IC555振荡器

  • 基于ICL296的大电流开关稳压器电源电路

×