肖特基二极管肖特基二极管 ________________________________________肖特基势垒二极管 SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特 基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其 反向恢复时间极短（可以小到几纳秒） ，正向导通压降仅 0.4V 左右， 而整流电流却可达到几千安培。 这些优良特性是快恢复二极管所无法 比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A 为正极，以 N 型半导体 B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而 制成的多属-半导体器件。因为 N 型半导体中存在着大量的电子，贵 金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的 B 中向浓度 低的 A 中扩散。显然，金属 A 中没有空穴，也就不存在空穴自 A 向 B 的扩散运动。随着电子不断从 B 扩散到 A，B 表面电子浓度表面逐 渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为 B→A。但在该电场作用之下，A 中的电子也会产生从 A→B 的漂移 运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的 空间电荷区后， 电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散 运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。典型的肖特基整流管的内部电路结构如图(a)所示。它是以 N 型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的 N-外延层。阳极（阻 档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场， 提高管子的耐压值。N 型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较 H-层要高 100%倍。在基片下边形成 N+阴极层，其作用是减小阴极 的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适 的肖特基势垒，当加上正偏压 E 时，金属 A 和 N 型基片 ……