微波FET低噪声放大器的设计流程微波FET低噪声放大器的设计流程 一 选择电路形式 1. 单端式 2. 平衡式二、选管 工作频率≤2GHz选用双极型晶体管 2GHz≤工作频率≤4GHz选用双极型晶体管或选用GaAs微波FET 工作频率≥4GHz选用GaAs微波FET 3. 放大器的级数的估算 级数N≥要求的总的增益Gt/单级的增益Gu 4. 输入输出匹配网络设计 1、判定微波FET在工作的频率上是处于绝对稳定还是潜在不稳定状态。 判定条件：① 1-|S11|²>|S12*S21| ② 1-|S22|²>|S12*S21| ③ Ks=(1-|S11|²-|S22|²+|Ds|²)/(2|S12*S21|)>1 其中(Ds=S11*S22-S12*S21) 2. 稳定情况下的设计 因为微波FET在工作的频率上是处于绝对稳定，可以任意选择Γs和ΓL。 ①输入匹配网络设计 为了获得最小的噪声系数，选择Γs为最小值，即Γs=Γsopt。 取Γs0=0, ΓL0=0，求出微带线归一化长度值L1、并联开路支节的归一化线长值L1´。 如下图所示： [pic] ……