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肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别 肖特基二极管的基本原理是：在金属例如铅和半导体N 型硅片的接触面上，用已形成 的肖特基来阻挡反向电压肖特基与 PN 结的整流作用原理有根本性的差异其耐压程度只有 40V 左右其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短因此，能制作开关二极管和低压大 电流整流二极管 肖特基二极管Schottky Barrier Diode 它是具有肖特基特性的金属半导体结的二极管其正向起始电压较低其金属层除钨材 料外，还可以采用金钼镍钛等材料其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体这种 器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的 PN 结大得多由于 肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为 RC 时间常数限制，因而，它是 高频和快速开关的理想器件其工作频率可达 100GHz并且，MIS金属绝缘体半导体 肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管 肖特基二极管Schottky Diodes： 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流 进行控制它的主要特点是具有较低的正向压降0......