集成CMOS限幅放大器的研究第 32 卷 　 第4期 　 2004 年 11 月河南师范大学学报 ( 自然科学版)Journal of Henan Norm al U niversity ( N at ural Science)V ol . 32 　No. 4 Nov . 2004 　　　 文章编号 :1000 - 2367 ( 2004) 04 - 0037 - 04集成 CMOS 限幅放大器的研究李富华1 ,2 ,王长清1 ,伍 　 博1①( 1. 河南师范大学 物理与信息工程学院 ,河南 新乡 453007 ;2. 苏州大学 电子信息学院 ,江苏 苏州 215021)摘　 要 : 提出了一种具有低通网络的高速放大器拓扑 ,基于增益带宽约束条件和低通网络的特性的研究对高速放大器进行了优化设计 . 此外 ,基于中芯国际集成电路公司提供的 0. 18 μm 器件模型 、 共面线的分布参数模型 ,文 中分别研究了共面线的频变分布参数 、 负载电阻以及 n 沟道 MOSFET 的栅宽对放大器增益 、 带宽的影响 ,为高速限 幅放大器的优化设计提供了理论指导和设计依据 .关键词 : 高速放大器 ;0. 18 μm CMOS 工艺 ;低通网络 ;CMOS 集成电路 中图分类号 : TN432 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 文献标识码 : A 近几年随着互联网的飞速发展 ,光纤网已经成为远距离 、 高速大容量数据传输的主要载体 ,随着传输速 率的不断提高 ,对高速光接收机提出了更高的要求 . 为了满足 OC - 96 、 OC - 192 等高速数据传输系统的需 要 ,光接收机前端通常采用价格昂贵的 GaAs 、 InP 等高电子迁移率材料制作的 HB T 、 HEM T 等晶体管实现 μ μ 宽带 、 高增益放大 . 随着深亚微米技术的发展 ,0. 18 m……