文档简介
相位噪声是时钟、射频频综最为关注的技术指标之一。影响锁相环相噪的因素有很多,比如电源、参考源相噪、VCO 自身的相噪、环路滤波器的设置等。其中,电源引入的低频噪声往往对锁相环的近端相噪有着很大的影响。对于高性能的时钟和射频频综产品,为了获得极低的相噪性能,往往采用低噪声的LDO 供电。然而,采用不同的LDO 给频综供电,取得的相噪性能往往会有很大差别,同时,LDO 外围电路设计也会影响到频综的相噪性能。本文首先简要地介绍了LDO 的噪声来源及环路稳定性对输出噪声的影响;其次,根据调频理论推导出VCO 的相位噪声与LDO 的噪声频谱密度的理论计算关系。在此基础上,为了验证LDO 噪声对射频频综输出相噪的影响,分别采用TPS7A8101 和TPS74401 LDO 评估板给TRF3765 射频频综评估板供电,对比测试这两种情况下的TRF3765 相噪曲线;同时,为了验证LDO 环路稳定性对频综相噪的影响,针对TPS7A8101 评估板的参考电路做出部分修改,并对比测试了电路修改前后的TRF3765 输出相噪。
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