论文提出了一种适用于闪存的瞬态增强无片外电容LDO。该LDO采用具有超低输出电阻的缓冲器驱动功率管和高能效基准方法。缓冲器采用并联技术降低输出电阻以增强功率管栅端的摆率。高能效基准电路在静态模式输出小基准电流以减少静态功耗而在工作模式提供大的基准电流以增加闭环带宽和功率管栅端的摆率。两种技术的使用极大地增强了LDO的瞬态性能。提出的LDO实现在采用70nm Flash工艺制造的、工作电源电压为2V-3.6V和存储容量为64M的闪存中。该LDO输出的调制电压为1.8V，最大输出电流40mA，在没有负载的条件下仅消耗8.5μA的静态电流，在满载电流变化时，对于闪存的应用仅有20ns响应时间且最大输出电压变化仅为72mV，满足高速闪存的要求。