肖特基势垒二极管及制造方法 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，

由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚眈亚胶层等，故

不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，

不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分

的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n

型及n+ 型离子注入区域形成动作区域，不再需要

设置台面及聚眈亚胶层，可实现化合物半导体的平

面型肖特基势垒二极管。可降低晶片的成本，由于

可使电极间距离接近，故可实现芯片的缩小，也可

提高高频特性。由于形成肖特基电极时不蚀刻

GaAs ，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。