2018年01月05日 | 今年DRAM产能增长10% 半导体产业“三高”产值逼进5000亿美元

2018-01-05 来源：EEPW

　据国际半导体产业协会(SEMI)最新指出，2017年全球半导体产值将首度突破4000亿美元的大关，而2018年仍会是乐观成长的一年，预估半导体产值将成长4%-8%，且2019年产值将可望挑战5000亿美元关口。

　　SEMI台湾区产业研究资深经理曾瑞榆表示，2017年是全球半导体产值破纪录的一年，年成长率达20%，主因是存储器强劲成长的带动，其中，DRAM产值年成长75%、储存型闪存产值(NAND Flash)年成长45%、其他IC产值年成长9%。

　　三星、海力士、美光扩产，今年DRAM产能成长挑战10%

　　DRAM和 NAND Flash是这两年全球半导体产业欣欣向荣的重要推手，尤其是在2017年全球半导体产值冲破4,000亿美元中，受DRAM涨价潮带动功不可没。据SEMI预估，在三星电子、SK海力士持续扩展DRAM产能下，2018年DRAM供给端产能可能成长10%，这会是较大的成长，然终端需求也急起直追，估计到2021年，DRAM年成长率上看30%。

　　观察全球DRAM产业三大阵营三星、海力士、美光，其中三星、SK海力士两大韩系原厂在扩产脚步上加速，包括三星在南韩平泽(Pyeongtaek)的P1厂房和Line 15生产线，以及SK海力士的M14生产线;另外，美光在广岛的Fab 15和Fab 16也有DRAM扩产计划，但目前扩产的主力仍是在韩系两大厂商。

　　除了DRAM产业扩产外，针对NAND产业，目前有扩产计划的业者包括三星平泽厂、SK海力士的M14生产线、美光Lehi和新加坡Fab 10X、东芝Fab 2/Fab 6，以及英特尔大连厂(Fab 68)等。

　　SEMI估计，2017年DRAM厂设备支出约130亿美元，较2016一年成长了一倍，预计2018年持续成长至140亿美元水准;2017年NAND产业设备支出约190亿美元，较2016年100亿美元有飞跃式成长，预计2018年NAND产业设备支出上看200亿美元。

　　事实上，无论是DRAM和NAND阵营对于扩增产能都满怀信心，但不要忽略，在物联网、AI、汽车电子和消费类电子的应用驱动下，需求端也是呈现井喷式发展态势。2017年半导体的主要成长来源是DRAM、NAND、传感器、光电和分离式元件，预期这些应用今年仍会持续驱动产业成长，另外，无线、车用与消费类电子产品等应用需求也将进一步成长。

　　半导体产业“三高”气势旺，国产化优势逐步显现

　　在2017年全球半导体产值突破4,000美元大关中，3D NAND大厂、DRAM原厂、晶圆代工厂三路人马均在扩产抢占市场，这也激发出半导体设备材料产业难得一见的巨大商机，面对2018年，整个全球半导体产业将会出现前所未见的欣欣向荣局面。

　　“六大3D NAND厂、三大DRAM阵营、两岸晶圆代工厂扩产，带动2017年晶圆厂设备投资相关支出达570亿美元，创下历史新高记录。”国际半导体产业协会SEMI预测，2018年晶圆厂设备投资相关支出更会达到630亿美元，再度攀上高峰!

　　除了全球半导体产值和半导体设备投资创新高外，2017年硅晶圆出货量也出现新高。此即为2017年半导体产业“三高”，分别是产值销售金额创新高、设备支出创新高、硅晶圆出货量创新高。

　　综观3D NAND、DRAM、晶圆代工三大阵营的扩产现况，在3D NAND产业方面，计划扩产的有三星平泽厂、SK海力士的M14生产线、美光Lehi和新加坡Fab 10X、东芝Fab 2/Fab 6，以及英特尔大连厂(Fab 68)等;在DRAM产业方面，则有三星平泽P1厂房和Line 15生产线、SK海力士M14生产线、美光广岛的Fab 15和Fab 16。

　　根据SEMI统计，2018年DRAM产能增加幅度上看10%;3D NAND产能成长幅度高达48%;晶圆代工达5%。

　　在晶圆代工产业方面，有12寸厂的扩产计划的包括台积电冲刺7纳米和5纳米制程的Fab 12/14/15晶圆厂;三星的S2和S3;GlobalFoundries的Fab1/8/11;中芯国际的北京厂B2、上海新厂、深圳新厂、联电的Fab 12A P5和厦门厂。

　　受此建厂狂潮，最大受益者莫过于半导体机台设备商，尤其是3D NAND产业和20纳米以下制程技术大量使用蚀刻机台，其次是CVD机台，相关设备商会最先受惠。

　　而在全球各地的设备支出金额方面，2017年韩国受惠三星、SK海力士大力扩产DRAM产能，韩国以180亿美元取代台湾跃升为全球最大的支出市场，其次是台湾的126亿美元;此外，SEMI预计，2018年韩国将持续以169亿美元稳居第一，而中国大陆可能取代台湾，成为全球第二大设备支出市场。

　　另值得注意的是，2018年中国半导体设备材料支出的后劲将会逐步显现。由于2018年中国大陆受惠许多去年完工的晶圆厂可望进入设备装机阶段，因此中国支出金额会有较大成长。但与过去不同的是，过去大陆的晶圆厂投资大多来自外来厂商，而在2018年大陆本土晶圆厂设备支出金额将首次赶上外来厂商水准，包括长江存储、福建晋华、华力微电子、合肥长鑫等许多新进业者都计划在中国大陆大举投资设厂的计划，并且建置，产业格局将逐步改变。

DRAM

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