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2018年01月10日 | 英特尔美光3D NAND合作终止于第三代产品
2018-01-10 来源：集微网
集微网消息，英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3D XPoint技术的Optane品牌储存产品，成为该技术最先上市的新一代高性能固态硬盘(SSD)系列。1月8日，合作多年的两家公司宣布将在完成第三代 3D NAND 研发之后，正式分道扬镳。
外媒报道，英特尔和美光 12 年前成立合资公司 IM Flash Technologies发展NAND。在2012年的时候，英特尔把多数IMFT工厂的股份卖给了美光，而只保留Lehi这一个据点。此后，双方就开始各自兴建自己的生产线。英特尔提供研发成本，可分享 NAND 销售收益。目前，英特尔NAND主要用于企业市场的固态硬盘（SSD），而美光除了销售SSD，还供应NAND Flash芯片产品给更多客户。
目前，两家公司已进入第二代 3D NAND 制程，可堆叠 64 层，正在研发第三代产品，预料将可实现 96 层的堆叠技术，预计在 2018 年底、2019 年初问世。
去年11月，IM Flash B60晶圆厂完成扩建工程，规模扩大后的晶圆厂将生产3D XPoint内存。
关于两家公司分道扬镳的理由，一种猜测是，在NAND堆叠层数破百后，需要调整String Stacking的堆叠方式，两家公司对此看法不同，因而分手。另一种猜测是，目前3D NAND的生产主流是电荷储存式（Charge trap） ，三星电子等厂商均采用这一方式，英特尔/美光是唯一采用浮闸（floating gate）架构的厂商。也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构，但这相当于承认失败，表明从2D NAND转换成3D NAND后，选用浮闸是一个错误决定，因而闹翻。
值得注意的是，两家公司仍会继续共同研发 3D XPoint 存储器，此一技术被誉为打破摩尔定律的革命技术。英特尔强调，双方都认为，独立之后，将能抽出更多精力优化自身产品、服务客户，且不会对路线图和技术节点造成影响。英特尔称，他们仍旧会在犹他州的Lehi工厂联合研发制造。
史海拾趣
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