2018年01月17日 | 紫光2018：点亮中国存储之光

2018年，对于紫光以及中国存储产业而言，是一个关键时点。

作为“扛旗者”，经历两年的运作布局，紫光在存储领域的IDM雏形初现，为其“从芯到云”战略提供有效支撑。而中国首颗自研32层3D NAND闪存芯片的问世及量产能力的突破，也为中国存储产业发展点亮希望之光。

布局：顺势而为打造垂直产业链条

5年前，紫光通过大举并购的方式切入集成电路领域，掀起不小波澜。

在两年的时间里，紫光相继将展讯、锐迪科、新华三等行业龙头收入囊中。在实现了对移动通信、物联网、大数据云计算等业务板块的整合后，紫光开始向最为重要的存储领域进军。

发展存储，一方面是推动紫光自身业务板块有效整合的要求，是紫光“从芯到云”战略中的重要一环，另一方面也迎合了国家对大力发展集成电路产业，特别是重点发展存储产业的战略需要。

对于产业发展而言，并购是一条捷径。通过资本运作，与世界领先企业处于同一起跑线，再组织力量冲锋，是获得成功的一种方式。联想收购IBM、TCL并购汤姆逊，中国不乏这样的成功案例。

然而紫光在存储领域的布局，远没有像收购展讯、锐迪科、新华三那样轻松。这个领域长期被三星、海力士、美光等韩美企业把持，在寡头垄断的行业格局下，对技术、人才的封锁，商业政策的限制，特别是对于中国大陆企业崛起的忌惮，成为中国发展存储产业道路上的重重关卡。

2015年下半年，紫光向美光要约、入股西部数据，入股南茂、矽品、力成三大台湾封测企业，一次次冲锋，却一次次折戟在商业禁令之前。

尽管2015年的境外并购入股策略并没有取得理想效果，但紫光在这一过程中收获了经验，掌握了资本运作规律。更重要的是，紫光亮出了旗帜，传递出在存储领域“打大仗”的决心。如同收购展讯锐迪科后英特尔登门拜访寻求合作，紫光希望在存储领域发出的声音能够获得潜在盟友们的关注与支持。

“竖起招军旗，自有吃粮人。”紫光集团董事长赵伟国如是说。

如果说2015年紫光在存储领域“作势”，那么在2016年之后，紫光则是“做实”，通过策略调整，以成立合资公司或入股境外企业在大陆的子公司等方式同境外企业展开合作，同时大力加强自主创新研发，积累技术实力。

2016年9月，紫光同西部数据成立合资公司，布局大数据存储；11月，紫光控股封测龙头台湾南茂在上海的孙公司上海宏茂微电子公司，进入封测领域，存储布局取得实质进展。

同时，紫光从南亚科重磅挖角台湾“DRAM教父”高启全，相继在武汉、南京、成都投入巨资规划大规模存储与芯片制造工厂，主攻主流闪存工艺3D NAND的研发，开始在存储产业最为重要的制造端发力。

DRAM教父高启

2017年底，紫光入股台湾光宝苏州子公司苏州光建，实现SSD产品销售、市场端的布局。

至此，通过两年不懈努力，紫光终于在存储产业围绕3D NAND，打造出包括研发设计、生产制造、封装测试和产品销售在内较为完整的产业链条。

尽管以目前紫光在存储产业链的控制能力，还无法实现同三星、美光的完全对标，但在产业链的关键的环节紫光没有失位。紫光计划用十年的时间冲进全球存储领域的前五，未来任重道远。

“紫光既是产业集团，也是投资集团。有些产业我们自己控制，有些产业通过投资来分享成果，我们不会像三星打造那么紧密的整合。”赵伟国说。

业内人士分析指出，对于产业链的控制或投资，紫光的逻辑是合理充分利用现有资源，发挥自身优势的最大化，围绕国家战略的主轴，从而更好地支持中国存储产业的发展。

据集微网记者了解，目前紫光的武汉存储芯片工厂（长江存储）建设顺利，3D NAND研发取得突破进展；总投资460亿美元的南京、成都存储芯片工厂即将开工建设；上海宏茂的存储芯片封测项目已在进行中；苏州SSD工厂已开工建设。

突破：自主创新树立中国存储里程碑

作为半导体行业三大支柱的存储器产业，竞争的重点集中在制造工艺和产能，从而为有效降低成本，最终赢得市场提供保证，生产制造能力是存储器厂商的核心竞争力。

此前，中国因为没有真正意义上的存储芯片生产能力，无论从市场还是信息安全的角度均受制于人。

位于武汉的长江存储正在实现这一领域的突破。作为国家存储器基地项目实施主体公司，长江存储由紫光集团、大基金、湖北和武汉地方国资共同组建。

长江存储总投资超过260亿美元，是紫光集团目前为止最大的投资项目之一，也是紫光存储布局的重要拼图，长江存储全部建成达产后月产能30万片，年产值超过100亿美元。

“围绕长江存储的系列存储工厂布局将是未来几年紫光最庞大的蓝图。”赵伟国告诉记者。

从紫光自身业务角度考虑，未来长江存储的产品可以与新华三、展讯、锐迪科等产业板块形成良好的协同效应。在更高的层面，以长江存储为代表的中国存储企业，更肩负着打造我国自主可控的世界级存储器产业基地，解决产业发展和产业安全的重任。

长江存储主要聚焦3D NAND闪存产品的研发和制造。目前由长江存储自主研发的14nm制程，32层64G 3D NAND闪存芯片是中国距离世界水平最近的一颗存储芯片，也是国产存储芯片的里程碑之作，将于2018年第3季度实现量产。

据赵伟国介绍，该芯片成功研发的背后，是花费10亿美金，千人团队两年辛苦打造的结果。3D NAND闪存芯片从无到有，不仅填补了国内空白，打破韩美企业行业垄断，更将提升中国芯片产业的整体水平，进而改写全球芯片产业格局。

据集微网记者了解，在64层3D NAND闪存工艺技术方面，长江存储正在进行研发设计，预计2019年第2季度实现量产。

除武汉外，紫光在南京、成都投资建设半导体存储基地，两地总投资额为超过460亿美元，形成了存储制造领域的三大基地。

赵伟国告诉集微网记者，存储器最能代表集成电路产业规模经济效益，三大存储制造基地的建设正是为了追求规模效应，未来三大基地将在研发生产、市场销售上协调一致行动。

剑指2018：机遇挑战并存

2018年，对于紫光以及中国存储产业而言，是至关重要之年。目前，中国存储器产业已形成长江存储（3D NAND）福建晋华（利基型DRAM）、合肥长鑫（移动式DRAM）三大阵营。在今年下半年，三大厂商的芯片产品都将集中实现量产。

“3D NAND的研发和三大制造基地的建设，将是2018年紫光存储的重点工作。2018年显然是中国存储芯片产业的转折之年，我们将向市场提供国产的3D NAND闪存芯片产品，这是零的突破。”赵伟国说。

业内人士指出，未来的3-5年，中国集成电路产业发展将迎来窗口期，中国存储能否成功，这一时段极为重要。特别是强化IP的布局，中国政府以及厂商未来必须凭借内需市场、优秀的开发能力，以及具国际水平的产能，取得与国际厂商最有利的谈判筹码，才有机会立足全球并占有一席之地。

“具备量产能力后，还要做到制造端技术达标，良率保证。能够获得中下游厂商的认可、保证订单份额，是今年量产后摆在中国存储厂商面前的现实问题。”上述业内人士说。

同时，在存储领域长期被美韩企业垄断的局面下，中国存储军团在2018年的集中崛起无疑会受到更多“关注”，初期不可避免会陷入专利战的困扰。去年底，美光已经开始策略性地针对福建晋华的DRAM技术发起诉讼。

此外，在存储市场，经历了1年多的价格飞涨后，2018年将会迎来供需平衡的阶段，但竞争对手还在不断加码，提升相关产能。英特尔扩建大连厂二期，目标在2018年增加一倍3D NAND闪存产能，三星西安二期工厂也将扩建，海力士则在无锡启动第二工厂建设。

这可能带来的一个结果是，巨头将会采用价格战等恶意手段对中国企业进行打压。而国内大连、西安、无锡等外资工厂也会分流极度稀缺的高端技术人才，人才招募也将是中国存储企业面临的挑战。

回顾这两年在存储领域的开拓，赵伟国坦言，选择3D NAND作为中国存储芯片产业突破方向正确。“技术虽然很难，但并没有难到不可逾越的地步，主要是投资门槛比较高。”赵伟国说。

按照计划，紫光未来十年至少将投资1000亿美元，面对如此庞大的投资，紫光要承受巨大的资金压力。在资金来源方面，除获得国家大基金、国家开发银行、中国进出口银行等金融机构支持外，紫光也在多方位筹措资金，包括设立各种基金，与地方政府联合投资，在资本层面展开合作。

据赵伟国透露，为了实现紫光10年在存储芯片产业投资1000亿美元的战略目标，确保中国存储芯片战略的有效实施，紫光希望借鉴国家组建大飞机公司和发动机公司的模式，筹划发起设立中国集成电路股份有限公司（工商暂定名：国芯集成电路股份有限公司，注册资本1000亿元；简称国芯股份），其中紫光集团出资200亿元人民币，社会筹集入股资金800亿元人民币，目前正在募集股东阶段，如果进展顺利，计划将于2018年6月完成组建。