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2018年01月26日 | 继三星和SK海力士之后,美光攻克GDDR6显存

2018-01-26 来源:电子产品世界

  三星电子、SK海力士之后,美光今天也宣布了自己的GDDR6显存方案,但和其他两家有明显不同。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。

  首先,美光并不是自己单干,而是集结了几位合作伙伴,自己出GDDR6存储颗粒,Rambus提供物理层,Northwest Logic负责控制器,Avery Design搞定验证IP。

  Rambus曾经是内存行业臭名昭著的“专利流氓”,四处控告其他科技公司侵犯其专利,搞得鸡犬不宁,不过单就技术而言,Rambus也确实很有两把刷子。

  这次他们提供的GDDR6物理层兼容行业标准,可满足ASIC、SoC布局需求,速度支持12Gbps、14Gbps、16Gbps,两个16位通道高最大带宽512Gbps。

  

 继三星和SK海力士之后,美光攻克GDDR6显存

  从美光官网刊出的规格表中可以看到,美光GDDR6只有8Gb(1GB)容量一种版本,电压也分为1.35V、1.25V,前者对应速率14/13/12Gbps,后者对应12/10Gbps,和SK海力士的有些类似,都不如三星电子。

  不过美光表示,他们的GDDR6显存不仅仅适用于传统显卡,还可满足高性能网络、自动驾驶、AI人工智能、5G通信基础架构等更多领域的需求。

  这也是他们联合多家企业共同设计的主要原因,扩大GDDR6的覆盖范围。

  美光GDDR6目前已经试产,今年第一季度量产。

    以上是关于手机便携中-继三星和SK海力士之后,美光攻克GDDR6显存的相关介绍,如果想要了解更多相关信息,请多多关注eeworld,eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。

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