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2018年02月23日 | 进一步缩小集高通骁龙855将使用7纳米制成

2018-02-23 来源:中关村在线

 去年底,我们报道了关于骁龙855的相关资料,有业内人士发文称,苹果的A12和高通骁龙855移动平台都会用上7nm工艺,并且准备tape out(指提交最终GDSII文件给Foundry工厂做加工)。

图片来自@手机晶片达人

  随着前天高通正式发布了骁龙X24 LTE基带,骁龙855的更多详细参数被曝光,不仅有着全球首个Cat.20(下行2Gbps)的速率,还基于7nm工艺打造。

骁龙855更多参数曝光(图片来自@Roland Quandt)


  根据国外知名爆料达人@Roland Quandt透露:高通的一位合作伙伴称,目前正在对骁龙855芯片进行测试,采用的就是7nm工艺技术。并且还指出,骁龙855将是高通的第一款7nm AP产品,同时大概率会集成骁龙X24基带。除了性能的提升之外,在AI、相机ISP、存储(UFS3.0)等方面也会全面的提升。


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