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2018年03月02日 | 美光科技宣布推出适用于旗舰级智能手机的3D NAND 解决方案
2018-03-02 来源：EEWORLD
西班牙巴塞罗那，2018 年 2 月 26 日（全球新闻通讯）——美光科技有限公司（纳斯达克代码：MU）今日宣布推出三种全新 64 层第二代 3D NAND 存储产品，这三种产品均支持高速通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准。全新美光移动 3D NAND 产品提供 256GB、128GB 和 64GB 三种容量选择。
该全新移动解决方案基于美光业界领先的三级单元 (TLC) 3D NAND 技术，可帮助智能手机制造商通过人工智能 (AI)、虚拟现实和面部识别等新一代移动功能来增强用户体验。AI 在旗舰级手机中的出现推动了对能更快速高效地访问数据的更先进的存储解决方案的需求。分析机构 Gartner 预测，到 2022 年，80% 的智能手机将具有 AI 功能，这会增加在本地处理和存储更多数据的需求。
此外，由于智能手机已然成为摄影和多媒体共享的首选设备，存储容量需求将继续显著增加，目前旗舰级手机的容量最高为 256GB，预计到 2021 年容量将增长到 1TB。全新美光 64 层 TLC 3D NAND 存储解决方案利用针对移动设备进行了优化的架构满足了这些需求，在更小的空间内提供更多容量的同时，提供一致的高性能和低延迟。
“我们都希望智能手机提供大胆的新功能，而存储对此起到了日益关键的作用。”美光科技移动产品事业部市场副总裁 Gino Skulick 表示，“美光科技独家提供移动 DRAM 和 3D NAND，并且我们的尖端设计将继续实现最先进的智能手机所需要的性能。”
64 层 TLC 3D NAND：助力移动领域的未来发展
该移动 3D NAND 产品将更多的存储单元集中到更小的芯片区域内，并利用美光阵列下的 CMOS (CuA) 设计，提供一流的芯片区域。美光独有的方法将所有闪存层置于逻辑阵列之上，最大限度地利用智能手机设计中的空间。
美光第二代 TLC 3D NAND 移动技术具有多项竞争优势，包括以下新功能：
美光针对移动设备进行了优化的架构提供一致的高性能和低延迟，能够增强用户体验，同时通过使用高效的峰值功率管理系统将功耗降至最低。
全新美光 64 层 TLC 3D NAND 产品比上一代 TLC 3D NAND 快 50%。
美光 64 层 3D NAND 技术比上一代 TLC 3D NAND 的存储密度高一倍，封装尺却未变。
UFS 2.1 G3-2L 接口规范为移动应用提供极具吸引力的性能，并且带宽比 e.MMC 5.1 高出多达 200%，同时还提供同步读写功能。 这为提供在捕获高分辨率照片的突发数据或将 4K 视频记录到存储时所需的数据访问速度奠定了基础。
该新产品基于 32GB 芯片，尺寸为 59.341mm2——是业界市场上最小的 32GB TLC 3D NAND 芯片。
史海拾趣
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