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2018年03月06日 | 群联eMMC/eMCP/UFS控制芯片支持美光64层3D NAND
2018-03-06 来源： 新电子
群联电子(Phison)为因应智慧行动储存市场进入128GB、甚至是256GB的大容量等级需求，正式宣布eMMC/eMCP／UFS控制晶片将全系列支援美光64层3D NAND Flash，亦已准备次世代96层技术研发，不但协助客户在智慧行动装罝市场扩大产品战线，亦为客户卡位车联网商机作好准备。
群联电子表示，从快闪记忆体(NAND Flash)技术演进来看，当容量需求快速增加，甚至是倍增之时，2D的平面生产技术已不能满足终端应用之需求。3D之NAND Flash技术，则透过垂直立体堆叠储存单元的方式，突破容量上限的瓶颈，其最高容量将可倍增至256Gb(32GB)，并可提升读写资讯之效能。
2018年全球行动通讯大会(MWC)已正式登场，应用于智慧型手机的AI运算、AR虚拟应用、身份辨识、GIF贴图、4K HDR影片录制以及环绕音场等创新功能成为各大国际手机厂发表新机之亮点，为能满足这些多媒体功能储存需求，今年度的智慧新机之内嵌式记忆体容量全面跃升至128GB、甚至是256GB的储存容量等级。
该公司看好64层的3D NAND Flash将为今年最大宗之主流技术，因此除了推出的可支援该制程技术的高速UFS控制晶片PS8313之外，包括既有热卖的eMMC/eMCP PS8226等全系列控制晶片皆同步支援东芝阵营及美光阵营的64层3D NAND Flash。
史海拾趣
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