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2018年03月27日 | 存储器需求迎来“超级周期” 国产化进程加快

2018-03-27 来源:电子产品世界

  随着数据大集中、数据挖掘、商业智能、协同作业等技术的成熟,数据价值呈指数上升。在此背景下,无论是国家经济运转还是百姓日常生活,都和数据息息相关,必然导致存储(包括数据存储、数据保护和容灾等领域)需求的持续快速增长,使得存储行业成为信息产业中最具持续成长性的领域之一。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。

  2017年Q4全球存储市场增长13.7%

  根据IDC全球企业存储系统季度追踪报告显示,2017年第四季度全球企业存储系统工厂收入同比增长13.7%,达到136亿美元,总出货量达到了89.2EB,同比增长39.3%。ODM营收继续增长,同比增长34.3%,达到28亿美元。该季度基于服务器的存储销售额增长23.8%,收入达到42亿美元。外部存储系统仍是最大的细分市场,销售额达到66亿美元,同比增长1.8%。

  IHS:2017全球监控存储系统市场将达17亿美元

  据IHSMarkit预测,2018年全球视频监控摄像机出货量将达1.3亿台,相比2006年的1000万台,增长量显著。随着摄像机需求的增长,用户对于其相关的存储需求亦在同步上升。据估计,用于视频监控存储的外部系统(SAN/NAS/DAS)的市场估计在2017年达17亿美元。

  研究机构预测2018年服务器存储市场增长36%

  据中国证券网报道,半导体领域权威研究机构集邦咨询在慕尼黑上海电子展会期间提出,2018年伴随着多个新建晶圆厂实现量产,中国半导体产业将强势崛起,各个领域商机将显现。集邦咨询记忆存储事业部研究副总郭祚荣表示,2018年继续看好服务器存储市场。“服务器存储市场没有天花板。”他预测,2018年服务器內存市场增幅有望达到36%,远高于2017年23%的增速。

  存储器需求迎来“超级周期”

  在新的全球信息化浪潮背景下,全球范围出现半导体存储器短缺。有观点认为,半导体行业进入了需求呈跨越式增长的“超级周期”阶段。而在供应短缺以及高增长的背后,垄断之势也越发明显。据数据调查显示,仅三星电子、SK海力士、英特尔、美光科技以及东芝半导体等五家美日韩半导体企业,几乎垄断了全球95%左右的存储器市场。而作为全球最大的电子产品的生产地、消费市场,让中国成为这一波涨价最大的承压市场。

  存储价格飙升加速国产存储器产业布局

  从2016年开始,一路飙升的存储价格正在侵蚀整机厂商的销售利润。不管是DRAM还是NANDFLASH,一年多的是时间里,几乎每个季度价格都在创新高。此次内存涨价,不断极大的蚕食了电子整机企业的利润,而且对产业的发展也带来影响。存储器对中国信息产业发展至关重要。中国科学院微电子研究所所长叶甜春在国际集成电路产业发展高峰论坛上呼吁:“未来30年,如果我们不解决存储芯片自己制造的问题,所谓的信息化时代会失去一个非常重要的依托和基础。”

  发展国产存储器不仅可以满足国内巨大需求市场,带动整个集成电路产业链的良性发展,还可以彻底改变存储器受制于人的不利局面,也是在半导体产业发展方面赶超发达国家的有效途径。目前,各地方政府通过设立大规模的投资基金,支持存储产业。截至2017年上半年,地方政府设立的集成电路投资基金规模已超过3000亿元。2016-2017年之间,全球确定新建的19座晶圆厂有10家位于中国大陆。今年10月,国家发展改革委、工信部联合下达2017年集成电路重大专项投资计划,福建晋华DRAM存储器项目获批2亿元,厦门三安通讯微电子器件项目获批0.5亿元。总规模300亿元的安徽省集成电路产业投资基金于18日正式设立。安徽省计划到2020年,建设3条12英寸晶圆生产线和3条以上8英寸特色晶圆生产线,综合产能超20万片/月,产值达到500亿元。

  中国存储芯片行业崛起

  半导体市场调查公司ICInsights近日发表预测,国际存储芯片市场的超级景气将于今年内结束,主要原因是中国业者将于今年底实现存储芯片量产。

  我国存储芯片行业的动向不只影响着整个国际半导体市场,也成为三星电子、SK海力士等存储芯片垄断企业营业利润和股价的最大变数,一直以来在这一领域保持领先的韩国企业感受到了真切的威胁。近日韩国媒体《韩国经济新闻》以“快马加鞭的中国半导体崛起”报道了中国存储芯片产业的快速发展。报道认为,在中国政府的政策和资金支持下,中国存储芯片企业用了不到3年时间,已经成长到跟生产了20年半导体的台湾企业不相上下的水平,韩国企业应提防中国向当年三星超越日本企业一样,被长江存储、合肥长鑫等企业超越。

  存储器国产化要迈三道坎

  中囯已有三家企业向存储器芯片制造发起冲锋,分别是武汉长江存储的32层3DNAND闪存、福建晋华的32纳米DRAM利基型产品,以及合肥长鑫(睿力)的19纳米DRAM。而且三家都声称2018年年底前将实现试产,开通生产线。如果再计及紫光分别在南京和成都刚宣布再建两个存储器基地,总计已有5处。对于中国上马存储器制造,可能会面临三个主要难关:技术、成本与价格、专利。

  从态势分析,对于第一个难关,突破技术难点,成功试产,对于中国存储器厂商可能都不是问题,显然2018年相比2017年的投资压力会增大。

  预计最困难的是第二个难关,产能爬坡,进入拼产品成本与价格的阶段。这两者联在一起、相辅相成,当成本增大时,产能爬坡的速率一定会放缓,很难马上扩充至5万到10万片。因为与对手相比,在通线时我们的产能仅为5000至1万片,对手已超过10万片,且其成品率近90%,而我们的成品率约为70%~80%……所以不容置疑,成本差异非常明显,因此,要看我们的企业从资金方面能够忍受多长时间的亏损。从这点看,中国存储器业最艰难的时刻应该在2019年或者之后。

  第三个难关是专利纠纷,中国做DRAM怎么能不踩专利的“红线”,而且不可预测对手会如何出招,这是中国半导体业成长必须付出的代价。因此从现在开始就要准备专利方面的律师及材料,迎接战斗。中国半导体业一定要重视知识产权保护,这是迈向全球化的必由之路。

  结语

  国产存储器想要真正逆袭,依然面临诸多挑战,一个是技术差距,另一个是制作水平的薄弱。2018将成为中国存储器发展的关键年,希望在强有力的政策支持下,加上国内厂商的不懈努力,中国存储器能在不久的将来真正引领世界。

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1. 基本二阶段低通滤波器电路的结构是怎样的?

回答:基本二阶段低通滤波器电路通常由两个一阶低通滤波器级联而成,每个一阶低通滤波器包含一个电阻和一个电容。具体来说,电路由两个电阻(R1, R2)和两个电容(C1, C2)组成。输入信号首先经过R1和C1组成的一阶低通滤波器,然后其输出再经过R2和C2组成的第二个一阶低通滤波器。这种结构可以有效滤除输入信号中的高频分量,只保留低频部分。

2. 如何计算二阶段低通滤波器的截止频率?

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