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2018年04月12日 | 我国首批三维NAND闪存芯片年内在光谷量产
2018-04-12 来源：湖北日报
我国拥有自主知识产权的三维NAND闪存芯片距离批量生产又进一步。4月11日上午，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目，首套芯片生产机台进场安装。这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入生产准备阶段。年内，32层三维NAND闪存芯片将在中国光谷实现量产。
作为电子产品的制造大国和消费大国，中国通用存储器需求占全球产能的50%。三维NAND闪存芯片多用于手机、高性能服务器，目前全部依赖进口，市场话语权被三星、东芝、镁光等美、日、韩企业把控。紫光集团董事长赵伟国说，国家存储器基地项目是中国集成电路闪存芯片产业规模化发展“零”的突破，更是打破西方国家垄断的重要抓手。未来10年，紫光集团至少将投资1000亿美元，推进相关产业发展。
长江存储执行董事长高启全介绍，接下来2到3个月内，近3000套生产机台将陆续进场安装调试，7月底8月初具备试生产条件，年内预计可生产出 5000片 32层三维NAND闪存芯片。2019年，32层三维NAND闪存芯片产量将提升至每年10万片，当年底试产64层三维NAND闪存芯片。2020年，64层三维NAND闪存芯片产能将提升至每年10万片，并研发具有全球先进水平的128层三维NAND闪存芯片。
武汉市市长万勇表示，国家存储器基地机台搬入，是“中国芯”的一大步，也是“新武汉造”的一大步。期待“中国芯”在全球市场反响良好，期待基地第二、第三工厂尽早开工建设。
国家存储器基地项目2016年3月正式启动，分三期建设。至2020年，三期全部完工后，基地产能将达到每月30万片，年产值超过100亿美元，形成设计、测试、封装、制造、应用等上下游集群。
史海拾趣
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