历史上的今天
今天是：2025年04月15日（星期二）
2018年04月15日 | 中国研发团队研发出一种新二维非易失性存储芯片
2018-04-15 来源：Imagination Tech
相比三星、东芝、美光等公司，中国现在DRAM内存、NAND闪存技术上要落后多年，不过中国的科研人员也一直在追赶最新一代技术，前不久有报道称中国投资130亿元开建PCM相变内存，性能是普通存储芯片的1000倍，现在更厉害的来了——复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片，他们使用了半导体结构，研发的存储芯片性能优秀，是传统二维存储芯片的100万倍，而且性能更长，刷新时间是内存的156倍，也就是说具备更强的耐用性。
DIY玩家应该知道内存、闪存各自的优缺点——内存速度极快，但是断电就会损失数据，而且成本昂贵，闪存的延迟比内存高一个量级，但好处就是能保存数据，同时成本更低，所以业界一直在寻找能同时具备内存、闪存优点的存储芯片，也就是能保存数据的同时具备极快的速度。
英特尔研发的3D XPoint闪存就有类似的特性， 号称性能是闪存的1000倍，耐用性是闪存的1000倍，前面新闻提到的PCM相变存储也是类似的技术，能够在断电时保存数据同时性能类似内存，只不过这些新型存储芯片现在还没有达到内存、闪存这样成熟的地步。
中国学者研发的存储芯片也是这个方向的，根据他们发表在《自然·纳米技术》杂志上的论文来看，他们研发的存储芯片使用的不是传统芯片的场效应管原理，因为后者在物理尺寸逐渐缩小的情况下会遇到量子效应干扰，所以张卫、周鹏团队使用的是半浮栅极（semi-floating gate）晶体管技术，他们据此展示一种具有范德·瓦尔斯异质结构的近非易失性半浮栅极结构，这种新型的存储芯片具备优异的性能及耐用性。
具体来说，与DRAM内存相比，它的数据刷新时间是前者的156倍，也就是能保存更长时间的数据，同时具备纳秒（ns）级的写入速度（NAND闪存的延迟一般在毫秒级），与传统二维材料相比其速度快了100万倍。，所以这种新型内存有望缩小传统内存与闪存之间的差距。
当然，这个技术进展还是很不错的，只是别指望技术很快量产，更不可能在未来两三年内进入市场，但凡同时具备DRAM、NAND优点的新型存储芯片都有这个问题，并没有成熟到量产上市的地步，传统内存、闪存还有很长的寿命。
上一篇:递归性质和大数目追踪光线解决方案
下一篇:用于创建智能照明解决方案关键要素
史海拾趣
|
bios设置HWI问题，请求各位前辈给指导一下！刚学DSP痛苦啊 我用dsp/bios设置的HWI 选择的是HWI_INT5，选择External_Pin_5作为interrupt soure function为：UART_isr Use Dispatcher选为true 设置完并保存，编译后发现错误 不是说在bios中添加硬件中断，系统会自动识别吗？ 为什么会出现下面错误： un ...… 查看全部问答＞ |
|
采用RC振荡的方法非常多，如文氏桥振荡等。这里介绍几种笔者常用的方法： 1.最简单的振荡器 最简单的振荡器 这种振荡器特点是：T≈（1.4～2.3）R*C 电源波动将使频率不稳定，适合小于100KHz的低频振荡情况。 2.加补偿电阻的振荡 加补偿电阻 ...… 查看全部问答＞ |
|
1、原先用spansion的norflash s29GL032操作一切正常，先改为ST的M29W320的flash，在用jtag烧写uboot时，一直擦除不成功，我用的是片擦除，系统时钟为125M，指令如下 //16bit erase *(volatile UINT16 *)(AM_START_AD ...… 查看全部问答＞ |
|
大家点个思路，有关基于S3C2440和WinCE如何使用串口及SD卡的问题 大家好，谢谢大家这么些天来一直很热心的回答我的问题，十分感谢！ 现在我想实现这样的功能： 外面通过串口将数据传给S3C2440，这里S3C2440跑的是WinCE操作系统，在WinCE上应用程序将数据接收处理并将其存入SD卡，并画出数据拟合成的曲线。 这里 ...… 查看全部问答＞ |
|
wince下如何进行驱动调试,一定要用串口么??如果程序修改的话还要重新编译内核? 1.现在刚准备做wince的,我现在有些不明白如何进行调试,每次定制内核要用到几十分钟,我在调试硬件驱动的时候,为了考虑稳定性需要不断得进行修改代码,每次修改代码之后都要重新编译内核,太耗时了,请问有没有什么简单得方法呢??模拟调试是不行的,我的 ...… 查看全部问答＞ |
|
ST新库3.4.0中stm32f10x.h里面为啥又把bool型定义去掉了？ 写库的人到底怎么想的，去掉类型定义，原来的程序会不兼容，有脑子吗？我已经出离愤怒了，版主告诉我他们怎么想的 ...… 查看全部问答＞ |
|
安装已经老声音长谈了，但我觉得有再说明一下的必要。因为好的开始是成功的一半，好多都是安装不好。对以后的学习造成了很大损失。甚至不愿再涉及该种芯片。 首选安装IAR V6.10 ，这个再光盘里。有所不同的是，这个是日系的，首先第一项是 ...… 查看全部问答＞ |
|
转自丁国勇的EMC博客刚才偶然看了本刊的两篇有关磁珠的专家博文，这两篇博文都是讲磁珠的。其中一篇是讲磁珠与电感的区别，另一篇讲磁珠其实就是一电阻特性。其实这样的说法都是不准确的。磁珠（Ferrite bead）的等效电路是一个DCR电阻串联一个电感 ...… 查看全部问答＞ |
|
#include #include #define uint unsigned int #define uchar unsigned char uchar temp,b; void delay(uint z); void main() { temp=0xfe; &nbs ...… 查看全部问答＞ |