2018年04月17日 | 中国存储芯片打破韩美日垄断局面迈出坚实一步

2018-04-17 来源：电子产品世界

　　当前全球存储芯片主要为韩美日三国所占有，中国的三大存储芯片企业长江存储、合肥长鑫、福建晋华近期纷纷开始安装机台预计今年下半年投产存储芯片，这将有望打破韩美日垄断存储芯片的局面。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。

　　存储芯片主要有NAND flash、DRAM，在全球NAND flash市场份额前五名分别为三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士，市场份额分别为38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%;在DRAM市场份额前三名分别为三星、SK海力士、美光，市场份额分别为45%、28%、21%。

　　由上可见，全球存储芯片一哥无疑是三星，其在NAND flash和DRAM市场均占据优势的市场份额，而按国家来说韩国是全球存储芯片的龙头，拥有三星和SK海力士两大存储芯片企业。

　　中国是全球最大制造国，对存储芯片有巨大需求，中国采购的存储芯片占全球约两成比例，近两年全球存储芯片价格持续上涨对中国产生了巨大影响，导致本来就利润微薄的行业饱受其苦，要打破这种局面发展自己的存储芯片无疑是最好的办法，正是在这种背景下，中国开始积极发展自己的存储芯片产业。

　　长江存储、合肥长鑫、福建晋华担起了这个重任，长江存储主要发展NAND flash，合肥长鑫和福建晋华主要发展DRAM，三家企业在去年底实现了厂房封顶，近期开始陆续搬入机台等生产设备，按计划它们今年下半年将开始试产存储芯片。

　　当然中国的存储芯片企业在投产后还需要在技术方面追赶韩美日等存储芯片企业，长江存储当下准备投产的为32层NAND flash而韩国三星去年就开始大规模投产64层NAND flash，长江存储希望在未来两三年实现64层NAND flash的技术突破，将技术差距缩短到两年内。

　　合肥长鑫、福建晋华计划投产DRAM，韩国三星当下已开始采用18nm工艺生产DRAM，并正研发更先进的生产工艺，合肥长鑫和福建晋华在投产后预计在工艺方面较这些存储芯片巨头还有较大差距，在正式投产后还将面临着良率问题等，需要时间。

　　值得注意的是，北京兆易创新公司在DRAM技术上取得了突破，其也与合肥市产业投资控股集团达成了合作协议，计划投资180亿元，采用19nm工艺生产存储芯片，预计今年底前投产，不过它表示希望今年能实现产品良率达到10%，这说明生产存储芯片面临着不少的技术难题，只是良率方面就是一个相当大的难题。

　　对于中国庞大的制造业来说，即使中国存储芯片企业初期在技术方面稍为落后，但是这里对低端存储芯片依然有强烈需求，这为中国存储芯片企业提供了生存发展机会，它们总有赶上韩美日存储芯片企业的一天，中国的许多产业不就是从低端做起，从无到有，从有再到强的发展过程么?

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DRAM 芯片

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