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2018年06月05日 | 安森美发布超高电源抑制比LDO稳压器
2018-06-05 来源：集微网
安森美半导体发布了一系列新的超低噪声低压降稳压器(LDO)，具有业界最佳的电源抑制比(PSRR)，能在噪声敏感的模拟设计中实现更好的性能。
新的NCP16x系列，连同其汽车变体器件同时符合AEC-Q100车规的NCV81x，在各类应用中提供更好的性能，如汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)图像传感器模块、便携式设备和包括802.11ad WiGig、蓝牙和WLAN的无线应用。
NCP16x系列包括四个输入电压范围从1.9到5.5伏特(V)的器件以支持各种不同的终端应用。输出电流250毫安(mA)、450 mA和700 mA，采用相同封装，使设计易于扩展。98dB的超高PSRR阻止不想要的电源噪声到达敏感的模拟电路，而6.5uV均方根的超低噪声无需额外的输出电容。
新的LDO稳压器具有80mV的低压降，支持和帮助延长电池供电的终端产品的使用寿命。空载静态电流仅为12uA，进一步增强此特性。这些器件可提供1.2 V至5.3 V的固定输出电压，在整个应用范围内的精确度为+/-2%。仅1 uF的输入输出电容实现稳定的工作，能降低系统成本和体积。
新器件系列采用了一种新的专利架构来实现超高的PSRR性能，并扩展了安森美半导体在这一领域的领先地位，在宽频率范围(10 kHz至100 kHz)提供高PSRR对于终端应用性能非常重要。例如，在ADAS相机的图像传感器应用中，NCV8163通过滤除电源噪声来改善图像质量，避免电源噪声损坏施加到像素的电压信号。在无线应用中，如WiGig 802.11ad，NCP167既具备超高PSRR又有超低噪声，确保系统的每比特供电能效能通过提供干净的电源来实现。
据悉，NCP16x系列提高了PSRR，比一些传统的LDO高 30 dB。LDO仍然是低电流应用的最佳方案，其小体积和现在更高的PSRR性能水平及低噪声，是噪声敏感的射频(RF)和图像传感器应用的理想电源管理方案。
NCP16x采用TSOP-5、XDFN-4和WLCSP-4封装。其汽车变体器件NCV816x采用TSOP-5和XDFN-4封装。所有器件均适用于现代高密度设计。
史海拾趣
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