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2018年07月10日 | STM32关于操作内部FLASH整理
2018-07-10 来源：eefocus
stm32的FLASH分为主存储块、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。
主存储块用于保存具体的程序代码和用户数据。起始地址0x08000000，b0和b1接GND从这里开始执行程序。
信息块用于负责由stm32出厂时放置2KB的启动程序(BootLoader)和512B的用户配置信息区。启动程序代码，是用来存储ST 自带的启动程序，b0接3.3v，b1接GND运行的就是这部分代码 ，用作串口下载代码。
闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构 。在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理 。
主存储器是以页为单位划分的。stm32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。
小容量产品：主存储块1-32KB， 每页1KB。系统存储器2KB
中容量产品：主存储块64-128KB， 每页1KB。系统存储器2KB
大容量产品：主存储块256KB以上， 每页2KB。系统存储器2KB
互联型产品：主存储块256KB以上， 每页2KB。系统存储器18KB
对Flash的写入操作要遵循“先擦除后写入”的原则。Flash编程操作都是以页为单位写入，写入的操作必须要以32位字或16位半字宽度数据为单位，允许跨页写。
FLASH 最快访问速度≤24Mhz ，CPU使用 72Mhz的主频操作FLASH需要加入等待时间。
闪存的编程和擦除
STM32 的闪存编程是由 FPEC（闪存编程和擦除控制器）模块处理的，包含 7 个
32 位寄存器：
FPEC 键寄存器(FLASH_KEYR)
选择字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR)
闪存控制寄存器(FLASH_CR)
闪存状态寄存器(FLASH_SR)
闪存地址寄存器(FLASH_AR)
选择字节寄存器(FLASH_OBR)
写保护寄存器(FLASH_WRPR)
FPEC 键寄存器(FLASH_KEYR)包含3个键值
RDPRT=0X000000A5
KEY1=0X45670123
KEY2=0XCDEF89AB
stm32复位以后， FPEC（闪存编程和擦除控制器）模块被保护，无法操作闪存控制寄存器(FLASH_CR)；将特定序列写入到FPEC 键寄存器(FLASH_KEYR)才可以操作 FPEC（闪存编程和擦除控制器）模块，写保护解除。
stm32闪存编程必须写入半字（16bit），无法写入其他类型数据。闪存控制寄存器(FLASH_CR)中PG=1，在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程 。在编程过程中闪存状态寄存器(FLASH_SR)中BSY =1 ，任何读写闪存的操作都会使 CPU暂停，直到此次闪存编程结束。 flash中被写入的地址必须是擦除掉的（0xffff）。
FLASH编程操作
1.检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
2.检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的编程操作
3.设置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’ 1’
4.在指定的地址写入要编程的半字
5.等待 BSY 位变为’ 0’
6.读出写入的地址并验证数据
FLASH分为页擦除和整片擦除。
页擦除
1. 检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
2. 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的闪存操作
3. 设置 FLASH_CR 寄存器的 PER 位为’ 1’
4. 用 FLASH_AR 寄存器选择要擦除的页
5. 设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为’ 1’
6. 等待 BSY 位变为’ 0’
7. 读出被擦除的页并做验证
史海拾趣
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