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2018年08月07日 | 联电与Avalanche合作开发28nm MRAM存储芯片
2018-08-07 来源：UMC,联电,MRAM,Avalanche,存储芯片
虽然台积电、三星以及Globalfoundries公司都会在今年底或者明年初量产更先进的7nm工艺，不过其他技术的工艺并不意味着就会淘汰，在半导体工艺节点上将会存在一些很长寿的制程，28nm工艺就是其中的一个，即便是台积电，28nm工艺带来的营收依然是大头，营收比例超过其他先进工艺。UMC台联电也给自家的28nm找到了新的领域，他们宣布与美国Avalanche公司合作研发28nm工艺的MRAM存储芯片。
MRAM磁阻式随机存储芯片是下一代存储芯片的候选人之一，兼具非易失、高速度、高密度、低耗等各种优良特性，可说是集各种记忆体优点于一体的产品，因此被认为是电子设备中的理想存储器。只不过这些指标还是理论上的，MRAM芯片离取代内存、闪存的日子还早着呢，但在物联网、工业、汽车电子行业应用前景很广泛。
美国公司Avalanche主要研发ST- MRAM (自旋矩磁阻RAM)技术，日前他们宣布与UMC联电达成合作协议，共同研发MRAM芯片，同时联电也将透过Avalanche的授权提供技术给其他公司，并透过授权提供客户具有成本效益的28 奈米嵌入式非挥发性MRAM技术。
在28nm工艺之外，两家公司还考虑将合作范围扩展到28nm以下的工艺中去。
在联电之前，台积电也宣布使用28nm工艺生产eMRAM及eRRAM芯片，预计2018年底试产。三星早前宣布4nm工艺时也提到了会针对物联网市场推出28nm FD-SOI工艺，也会生产eMRAM存储芯片。Globalfoundries之前公布的22FDX工艺也同样针对低功耗的物联网市场，也会推进eMRAM芯片研发生产。
国内的中芯国际也针对下一代存储芯片布局了，去年初他们宣布已经出样40nm工艺的ReRAM芯片，这种芯片密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。
史海拾趣
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