2018年08月19日 | STM32内部FLASH读写-通用

2018-08-19 来源：eefocus

编译环境：我用的是(Keil)MDK4.7.2
stm32库版本：我用的是3.5.0
一、本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍，不懂得地方请查阅有关资料。
　　对STM32 内部FLASH进行编程操作，需要遵循以下流程：
　　FLASH解锁
　　清除相关标志位
　　擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便，即物理实现方便)
　　写入FLASH
　　锁定FLASH
实例：
#define FLASH_PAGE_SIZE ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小
#define WRITE_START_ADDR ((uint32_t)0x08008000)//写入的起始地址
#define WRITE_END_ADDR    ((uint32_t)0x0800C000)//结束地址
uint32_t EraseCounter = 0x00, Address = 0x00;//擦除计数，写入地址
uint32_t Data = 0x3210ABCD;//要写入的数据
uint32_t NbrOfPage = 0x00;//记录要擦除的页数
volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;/*FLASH擦除完成标志*/
void main()
{
  /*解锁FLASH*/
　FLASH_Unlock();
  /*计算需要擦除FLASH页的个数 */
　NbrOfPage = (WRITE_END_ADDR - WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;
  /* 清除所有挂起标志位 */
　 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
  /* 擦除FLASH 页*/
　for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)
　　  {
　　 FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));
　　  }
  /* 写入FLASH  */
　Address = WRITE_START_ADDR;
　while((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))
　　  {
　　 FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);
　　 Address = Address + 4;
　　  }
/* 锁定FLASH  */
　FLASH_Lock();
}
二、FLASH 擦除（以及防止误擦除程序代码）
1、擦除函数
FLASH_Status FLASH_ErasePage(u32 Page_Address)只要（）里面的数是flash第xx页中对应的任何一个地址！就是擦除xx页全部内容！

防止误擦除有用程序代码的方法
方法一：首先要计算程序代码有多少，把FLASH存取地址设置在程序代码以外的地方，这样就不会破坏用户程序。原则上从0x0800 0000 + 0x1000 以后的FLASH空间都可以作为存储使用。如果代码量占了 0x3000，那么存储在 0x0800 0000+ 0x4000 以后的空间就不会破坏程序了。
方法二：先在程序中定义一个const 类型的常量数组，并指定其存储位置（方便找到写入、读取位置），这样编译器就会分配你指定的空间将常量数组存入FLASH中。当你做擦除。读写操作时，只要在这个常量数组所在的地址范围就好。
　　const uint8_t table[10] __at(0x08010000) = {0x55} ;
　　MDK3.03A开始就支持关键字 __at() 。
　　需要加#include

方法三：在程序中定义一个const 类型的常量数组，无需指定其存储位置。只要定义一个32位的变量存储这个数组的FLASH区地址就行。

　　uint32_t address;//STM32的地址是32位的
　　const uint8_t imageBuffer[1024] = {0,1,2,3,4,5,6,7};
　　address = (uint32_t) imageBuffer;/*用强制类型转换的方式，可以把FLASH中存储的imageBuffer[1024]的地址读到RAM中的变量address 里，方便找到写入、读取位置*/

方法四：利用写保护的方式（没研究明白）

三、FLASH写入
　　FLASH的写入地址必须是偶数（FLASH机制决定的FLASH写入的时候只能是偶数地址写入，必须写入半字或字，也就是2个字节或是4字节的内容）

四、FLASH 读取方法
　　*(uint32_t *)0x8000000;//读一个字
　　*(uint8_t *)0x8000000;//读一个字节;
　　*(uint16_t *)0x8000000;//读半字;
　　举例：
　　uint8_t data;
　　data = *(uint8_t *)0x8000000;//就是读取FLASH中地址0x8000000处的数据
五、几个有用的子函数
/*
功能：向指定地址写入数据
参数说明：addr 写入的FLASH页的地址
      p 被写入变量的地址（数组中的必须是uint8_t类型，元素个数必须是偶数）
      Byte_Num 被写入变量的字节数（必须是偶数）
*/
　　void FLASH_WriteByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
　　{
　　 uint32_t HalfWord;
　　 Byte_Num = Byte_Num/2;
　　 FLASH_Unlock();
　　 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
　　 FLASH_ErasePage(addr);
　　 while(Byte_Num --)
　　 {
　　 HalfWord=*(p++);
　　 HalfWord|=*(p++)<<8;
　　 FLASH_ProgramHalfWord(addr, HalfWord);
　　 addr += 2;
　　 }
　　 FLASH_Lock();
　　}
　　例：
　　uint8_t data[100];
　　FLASH_WriteByte(0x8000000 , data , 100);/*数组data的数据被写入FLASH中*/
/*
功能：从指定地址读取数据
参数说明：addr 从FLASH中读取的地址
      p 读取后要存入变量的地址（数组中的必须是uint8_t类型）
      Byte_Num 要读出的字节数
*/
　　void FLASH_ReadByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
　　{
　　  while(Byte_Num--)
　　  {
　　 *(p++)=*((uint8_t*)addr++);
　　  }
　　}
　　例：
　　uint8_t data[101];
　　FLASH_ReadByte(0x8000001 , data , 101);/*FLASH中的数据被读入数组data中*/

STM32 内部FLASH 读写

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