2018年09月25日 | 意法半导体和Leti合作开发硅基氮化镓功率转换技术

2018-09-25

合作研制先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构,并将其量产
利用IRT纳电子技术研究所的研究结果，工艺技术将会从Leti的200mm研发线转到意法半导体的200mm晶圆试产线，2020年前投入运营

意法半导体（和CEA Tech下属的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化镓（GaN）功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体能够满足高能效、高功率的应用需求，包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和服务器。

本合作项目的重点是开发和检测在200mm晶片上制造的先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构。研究公司IHS认为，该市场将在2019年至2024[1]年有超过20％的复合年增长率。意法半导体和Leti利用IRT纳电子研究所的框架计划，在Leti的200mm研发线上开发工艺技术，预计在2019年完成工程样品的验证。同时，意法半导体还将建立一条高品质生产线，包括GaN / 硅异质外延工序，计划2020年前在法国图尔前工序晶圆厂进行首次生产。

此外，鉴于硅基氮化镓技术对功率产品的吸引力，Leti和意法半导体正在评测高密度电源模块所需的先进封装技术。

意法半导体汽车与分立器件产品部总裁Marco Monti表示：“在认识到宽带隙半导体令人难以置信的价值后，意法半导体与CEA-Leti开始合作研发硅基氮化镓功率器件制造和封装技术。ST拥有经过市场检验的生产可靠的高质量产品的制造能力，此次合作之后，我们将进一步拥有业界最完整的GaN和SiC产品和功能组合。”

Leti首席执行官Emmanuel Sabonnadiere表示：“Leti的团队利用Leti的200mm通用平台全力支持意法半导体的硅基氮化镓功率产品的战略规划，并准备将该技术迁移到意法半导体图尔工厂硅基氮化镓专用生产线。这个合作开发项目需要双方团队的共同努力，利用IRT纳电子研究所的框架计划来扩大所需的专业知识，在设备和系统层面从头开始创新。”

[1] IHS Markit, 2018年4月

硅基氮化镓

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