2018年11月01日 | 三星跻身晶圆代工亚军、EUV将用于DRAM量产，然而产能扩充恐

预计今年三星电子晶圆代工业务销售额将超过100亿美元（约合11.4万亿韩元），有望夺得代工市场亚军宝座。然而存储芯片行业增长，以及韩国半导体巨头的创纪录资本支出恐正引发存储芯片行业繁荣-萧条周期的再次下滑。

        集微网消息，据市场研究机构IC Insights的最新数据，三星电子晶圆代工业务今年销售额将超过100亿美元（约合11.4万亿韩元），有望夺得代工市场亚军宝座，冠军仍是台积电。

        去年5月份，三星电子将其代工业务从系统LSI部门中分拆出来，对于去年销售了价值74万亿韩元（660亿美元）的内存半导体的三星而言，代工厂已经与内存半导体、系统LSI一起成为三星电子的三大主要收入来源之一。去年，该公司的代工业务销售额达到46亿美元，在晶圆代工市场排名第四，市场份额为6%。

        数据显示，三星电子的代工市场份额今年将超过14%，因为该部门为三星智能手机部门制造的Exynos移动处理器带来了相当数量的销售额。

        一些分析师认为，三星今年在全球代工市场中名列第二，仅仅是该部门与系统LSI部门分拆造成的错觉。然而，另一些分析师预测，从明年开始，三星的代工业务将通过赢得许多虚拟货币开发商的ASIC合同并向高通和苹果制造应用处理器而快速增长。

        尤其值得注意的是，三星电子已全球首次将EUV技术应用于7nm工艺。目前，业界领先的台积电是唯一拥有7nm工艺的代工厂，并计划明年推出EUV版本的升级版7nm工艺。

众所周知，EUV设备每台成本高达上亿美元，但它可同时支持到3nm。由于该技术提供了比以往光刻技术快得多的生产速度，因此确保了采用该技术的公司竞争力。

        此外，三星电子正在寻求通过将EUV技术应用于10nm DRAM产线来提高EUV设备的利用率。分析师表示，这可以在提高三星7nm业务可靠性的同时，提高其在DRAM制造方面的竞争力。

        产能过度扩充、恐引发景气周期下滑危机

        去年全球晶圆代工市场规模为623.1亿美元，远大于NAND闪存市场（约540亿美元）。市场研究公司IHS Markit预计，到2021年，代工市场的平均年增长率（7.8％）将超过DRAM（5.3％）和NAND闪存（6.1％）市场。

        存储芯片行业增长，以及韩国半导体巨头的创纪录资本支出恐正引发存储芯片行业繁荣-萧条周期的再次下滑。

        此前三星电子和SK海力士已宣布，每年投入600亿美元用于扩充产能，这预计将带动数百万片硅晶圆出货。

        即使全球智能手机市场增长停滞不前，新技术预期也将推动需求而支撑资本支出。人工智能、物联网和自动驾驶等应用将推动两家公司的存储芯片应用市场，进而消化新增的产能。

        但随着中国公司的迅速发展，存储芯片市场将掀起波澜。半导体行业组织SEMI称，到2021年全球硅晶圆产量将达到创纪录的138亿平方英寸。

        首尔Hana金融学院的半导体分析师Lee Joo-wan表示，“一旦中国存储制造商开始量产，价格将开始迅速下降。这将是一个泡沫。”

        IDC的数据显示，三星电子是全球最大的DRAM和NAND制造商，在智能手机青睐的这两种内存技术市场中占据超过40%的市场份额。SK海力士在DRAM市场则排名第二，在NAND市场排名第五。

        三星电子在激增的存储芯片需求驱动下预计净利润将增长17％至12.9万亿韩元（113亿美元）。Meritz Securities Co.的分析师Kim Sun-woo表示，仅芯片部门的营业利润就可能达到13.6万亿韩元。海力士上周公布的第三季度利润为6.47万亿韩元，也高于分析师的预期。

        为继续保持增长，三星电子将在首尔以南的一家芯片工厂投入30万亿韩元，预计2021年完工。这家总部位于水原的公司还承诺投资6万亿韩元扩大华城的产能，并正在扩大其位于中国西安的半导体工厂，三年投资总额达70亿美元。

        厂商缩紧半导体资本支出以控制产能及价格

        市场研究机构 IC Insights的数据显示，2018年全球半导体支出预计将超过1000亿美元。

        SK海力士本月初在首尔以南的新NAND工厂投入了20万亿韩元，还将投资3.5亿韩元在利川设立新工厂，并计划明年在中国无锡与当地政府投资部门建立合资企业。

        但市场却可能面临衰退。Trendforce预计价格到2019年平均DRAM价格将同比下降15％至20％。NAND闪存芯片今年第三季度价格已经下降10％，预计第四季度将再下降10-15％。由于3D NAND生产能力的增加，企业SSD市场明年竞争更加激烈，2019年NAND闪存芯片价格下降幅度将在25-30％左右。

        SK海力士投资者关系负责人Sean Kim在上周的电话会议上表示，今年的DRAM价格涨幅有所放缓，这一趋势预计将持续到第四季度及明年第一季度，虽然价格不会大幅下滑，但随后可能会保持平稳或小幅下跌。

        美国加州研究公司Objective Analysis的Jim Handy评论说，我们正处于经济大衰退的前夕。半导体制造商在2017年大幅增加了资本支出，自然会导致2019年价格暴跌。

        无论繁荣-萧条周期如何，三星都将通过投资拉动增长，而非押注价格随需求的涨势。因此三星增加的部分资本支出，与升级晶圆厂以应对日益增长的技术挑战的成本增加有关。

        法国研究机构Yole Developpement的存储市场研究副总裁Mike Howard表示，有几个长期趋势极大地依赖半导体技术，这将推动该市场未来很多年的需求。如果市场供应过剩，供应商只会减少资本支出，这将对供应产生非常快速的影响，从而使供需恢复平衡。

        因此可以肯定的是，芯片制造商将根据市场需求调整产能，以防止价格崩溃。上个月三星电子就被披露计划削减明年的比特产量，以平衡内存产能，以保持供应紧张。

        SK海力士在上周的电话会议上也表示，将在明年削减投资，并更频繁地审查市场需求。除此之外，台湾DRAM制造商南亚科也将其2018年的资本支出削减了约12.5%，更新为210亿新台币（6.78亿美元）。