2018年11月15日 | 英飞凌氮化镓解决方案亮相慕尼黑电子展

2018-11-15

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）携氮化镓（GaN）解决方案CoolGaN™ 600 V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC（GaN EiceDRIVER™ IC），精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。英飞凌展示了其产品的优越性：它们具备更高功率密度，可实现更加小巧、轻便的设计，从而降低系统总成本和运行成本，以及减少资本支出。随着CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN EiceDRIVER栅极驱动IC的推出，目前，英飞凌是市场上唯一一家提供涵盖硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等材料的全系列功率产品的公司。

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CoolGaN 600 V增强型HEMT：

最新发布的CoolGaN 600 V增强型HEMT采用可靠的常闭概念，它经专门优化，可实现快速开通和关断。它们可在开关模式电源（SMPS）中实现高能效和高功率密度，其优值系数（FOM）在当前市场上的所有600 V器件中首屈一指。CoolGaN开关的栅极电荷极低，且具有极少输出电容，可在反向导通状态下提供优异的动态性能，进而大幅提高工作频率，从而通过缩小被动元器件的总体尺寸，提高功率密度。英飞凌CoolGaN 600 V增强型HEMT在功率因数校正（PFC）变流器里具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可达到160 W / in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在谐振拓扑中，CoolGaN线性输出电容可将死区时间缩短至八分之一到十分之一。

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放眼市场，CoolGaN拥有行业领先的可靠性。在质量控制过程中，我们不仅对器件本身进行全面测试，而且对其在应用环境中的性能进行全面测试。这确保了CoolGaN开关满足甚至优于最高质量标准。

CoolGaN 600 V增强型HEMT可提供70 mΩ和190 mΩ的SMD封装，确保杰出的散热性能和低寄生效应。通过提供全系列SMD封装产品，英飞凌旨在支持高频运行的应用，如企业级超大规模数据中心服务器、通信整流器、适配器、充电器、SMPS和无线充电设施等。

氮化镓开关管专用驱动IC（GaN EiceDRIVER IC）:

英飞凌新推出的氮化镓开关管驱动芯片EiceDRIVER IC——1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H——是CoolGaN增强型HEMT的完美搭档。它们经专门研发，以确保CoolGaN开关实现强健且高效的运行，同时最大限度地减少工程师研发工作量，加快将产品推向市场。

不同于传统功率MOSFET的栅极驱动IC，这个针对英飞凌CoolGaN量身定制的栅极驱动IC可提供负输出电压，以快速关断氮化镓开关。在开关应处于关闭状态的整个持续时间内，GaN EiceDRIVER IC可以使栅极电压稳定保持为零。这可保护氮化镓开关不受噪音导致误接通的影响，哪怕是首脉冲，这对于SMPS实现强健运行至关重要。氮化镓栅极驱动IC可实现恒定的GaN HEMT开关转换速率，几乎不受工作循环或开关速度影响。这可确保运行稳健性和很高能效，大大缩短研发周期。它集成了电隔离，可在硬开关和软开关应用中实现强健运行。它还可在SMPS一次侧和二次侧之间提供保护，并可根据需要在功率级与逻辑级之间提供保护。

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GaN EiceDRIVER 1EDF5673K采用13引脚LGA 5x5 mm封装，1EDF5673F采用16引脚DSO 150 mil封装，1EDS5663H采用16引脚DSO 300 mil封装。

英飞凌

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