2018年11月15日 | SK海力士加快开发脚步预计明年投资金额超过三星

2018-11-15 来源：爱集微

SK海力士正在加速DRAM技术开发的速度，韩国证券也预测，SK海力士明年存储器半导体市场投资会比竞争品牌三星、美光还要多。

SK海力士不仅在存储器半导体活跃，根据IC Insights的市调结果，在整个半导体市场中，今年的销售额达到全球第三名，这是SK海力士首次挤进前三中，把原本位居第三的台积电挤至第四名，因此市场也愈测，与竞争公司相比，明年SK海力士的市占率还有可能再继续扩大。

根据韩媒《DDaily》报导，NH投资证券研究员都贤宇预测，明年SK海力士将比三星电子、美光集团更积极进行投资。预计三星明年DRAM、NAND出货量增加率（与前一年相比）分别是19%、35%；而SK海力士则分别增加23%、40%；美光公司则是分别增加21%和25%。SK海力士将透过清州M15 NAND工厂和明年初在中国无锡市竣工的DRAM工厂扩大供货量。

SK海力士也于12日表示，预计明年第一季开始供给第二代10纳米细微工程适用的8Gb DDR4 DRAM，打算追上竞争企业们的脚步。事实上，三星电子去年11月就已经批量生产第二代10纳米级的8Gb DDR4服务器用的DRAM，更在今年7月领先业界，批量生产第二代10纳米工程适用的16Gb LPDDR4X行动存储器；美光公司最近也开始批量生产10纳米工程适用的12Gb LPDDR4X行动存储器。

虽然在DRAM领域中，SK海力士必须追赶着其他竞争品牌，但在NAND快闪存储器领域则大不相同。4日时，SK海力士才表示今年内将引进PUC（Peri under Cell）技术来量产96层的3D NAND，SK海力士更将其命名「4D NAND」，这也意味着SK海力士想透过展示自家的尖端技术，显示和同业的技术差距。

事实上，SK海力士是全球首家在CTF（Charge Trap Flash）架构上与PUC结合，并成功开发96层的512Gb TLC（Triple Level Cell）NAND。PUC技术是指在掌管存储数据的储存单元（Cell）中，配置下方掌管储存单元的周边部（Peri）回路的技术，类似把建筑物旁边有的停车场（在此指Peri）移动至建筑物地下室的概念。业界也评价SK海力士能以现在NAND的技术基础，在CTF上增加了PUC技术，实现了技术进步。目前三星电子还没有引进这样的技术，加上SK海力士自创了「4D NAND」的名称，由此可见对自身实力的自信。

然而SK海力士在NAND技术方面领先，但能否克服DRAM的偏重现象也备受关注，目前SK海力士在DRAM市场的占有率位居全球第2，NAND的市占率反而仅排在第4名，NAND市场预测中国存储器半导体的攻势未来会更猛烈，业界也认为，若NAND技术比DRAM低，中国就可以更快追上韩国。

SK海力士

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