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2018年12月18日 | 数据中心与PC市场太火热

2018-12-18 来源:爱集微

集微网消息,12月18日,据《波特兰商业期刊》报道,英特尔宣布,为缓解供给吃紧与满足未来需求,包含美国俄勒冈州厂、以及位于爱尔兰与以色列的两座厂,都将进行扩厂。



英特尔表示,将很快递件申请俄勒冈州厂2019年扩厂,此前不会透露更多细节。英特尔目前已是当地最大雇主,扩厂将带来更多工作机会。

英特尔因数据中心芯片需求强劲,加上PC产业复苏、需求旺盛,导致14 纳米产能供不应求。英特尔预期今年营收 712亿美元,较去年成长13.4%。

除此之外,据英特尔高级副总裁Ann Kelleher表示,预期汽车、无线通讯与人工智能部门业绩都将成长,进而驱动英特尔必须扩厂。


另外,他还指出,虽然英特尔在很大程度上依赖于自己的晶圆厂运营,但并不反对在合适的条件下交给外部代工厂。


与此同时,英特尔也有隐忧,其开发10纳米制程技术落后,现已被台积电追赶过。不过,英特尔上周发表逻辑芯片3D堆叠技术,希望借此抢回技术领先优势。


此前,英特尔CEO Renduchintal表示,英特尔明年将量产10nm芯片,而英特尔的7nm开发是由一个独立的团队独立作业,更表示该团队已经从10nm经验中汲取了大量经验,并制造出不同的晶体管密度、功率、性能以及进度可预测性。Renduchintal向公众保证,10nm处理器的延期并没有阻碍其7nm处理器的发展。


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GPD Optoelectronics Corp公司的发展小趣事

GPD Optoelectronics Corp公司发展故事

故事一:初创与锗晶体管的诞生

GPD Optoelectronics Corp.(前身为Germanium Power Devices Corp.)成立于1973年,最初专注于高品质锗晶体管的制造。在那个半导体技术刚刚起步的年代,锗晶体管作为重要的电子元件,在电子行业中占据着举足轻重的地位。公司凭借其精湛的工艺和严格的质量控制,迅速在市场中站稳了脚跟,为后续的光电二极管业务打下了坚实的基础。

故事二:转型为光电二极管制造商

进入1980年代,随着光电技术的快速发展,GPD Optoelectronics Corp.敏锐地捕捉到了市场趋势,开始逐步转型为光电二极管制造商。1980年,公司成功推出了Ge pn探测器产品,标志着其正式进入光电领域。这一转型不仅拓宽了公司的业务范围,也为其后续在光电领域的深入发展奠定了技术基础。

故事三:InGaAs探测器的研发与推广

为了进一步满足市场对高性能光电探测器的需求,GPD Optoelectronics Corp.在1993年推出了InGaAs探测器产品。InGaAs探测器以其优异的光谱响应范围和灵敏度,在光通信、光谱学等领域得到了广泛应用。公司的这一举措不仅巩固了其在光电领域的领先地位,也为其赢得了更多客户的青睐。

故事四:产能扩大与技术创新

进入21世纪,GPD Optoelectronics Corp.继续保持着强劲的发展势头。2000年,公司搬迁至新罕布什尔州塞勒姆的新工厂,产能实现了翻倍增长。同时,公司不断加大研发投入,推出了多款创新产品,如扩展波长InGaAs探测器、可定制的双色探测器以及InGaAs象限光电二极管等。这些产品的推出不仅丰富了公司的产品线,也进一步提升了其市场竞争力。

故事五:表面贴装封装选项的引入

随着电子产品的不断小型化和集成化,GPD Optoelectronics Corp.紧跟市场趋势,于2019年增加了表面贴装封装选项。这一举措使得公司的光电二极管产品更加符合现代电子产品的设计要求,进一步拓宽了其在智能手机、平板电脑等消费电子领域的应用市场。同时,公司也继续致力于为客户提供量身定制的定制零件服务,以满足不同客户的特定需求。

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