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2019年01月05日 | 7nm节点胜负已经分？
2019-01-05 来源：爱集微
集微网消息，全球最大芯片代工企业台积电务实地在7nm工艺第一代放弃EUV（极紫外光刻），同时上马整合扇出封装技术提升可靠度，最终使得自己的进度超越三星，拿下了一系列客户的大单。
2018年10月，三星电子宣布其7nm LPP（Low Power Plus）制程也已进入量产阶段，而采用EUV 设备的台积电第二代7 纳米依预期会在2019年量产。
对于三星，SwmiWiki的创始人Daniel Nenni认为，与台积电不同的是，三星的产能一直都不成问题。而作为领跑的两家代工厂，三星在14纳米领先于台积电，在10nm和7nm节点被台积电反超，但是三星拥有业内最好的晶圆价格，在定价方面三星更有优势。
从工艺本身来看，在7nm节点，究竟三星和台积电谁更胜一筹呢？IC Knowledge的创始人Scotten Jones提出了以下的一些想法：
·接触栅极间距（CPP）——台积电和三星都自称7纳米的CPP为54纳米，但它们两者，的实际栅极节距CPP为57纳米。
·金属层2的厚度（metal 2 pitch (M2P)）——三星是36nm，台积电是40nm。
·轨道高度——三星最小单元轨道高度为6.75，台积电为6.0。
·扩散——台积电光学过程（7FF）是双扩散（Double Diffusion Break ，DDB），据报道它们的EUV过程（7FFP）将采用单扩散（Single Diffusion Break ，SDB）。三星7NM第一代工艺（7LPE）和第二代工艺（7LPP）都是双扩散。
·晶体管密度——台积电7FF的最小单元逻辑密度略好于三星7LPE和7LPP。台积电的EUV 7FFP略好于三星的“第三代”7nm。
·SRAM单元大小——据称所有的三星7nm工艺和台积电7nm工艺的SRAM单元大小相同，但三星的SRAM单元实际稍小一些。
Scotten指出，总体而言，三星和台积电的7nm工艺在晶体管密度上是相似的，但是在7nm工艺的量产方面，台积电处于领先地位。
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