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2019年03月19日 | Silicon Labs第三代隔离技术实现性能和稳定性飞跃
2019-03-19
Silicon Labs日前推出一系列隔离模拟放大器、电压传感器和Delta-Sigma调制器（DSM）器件，设计旨在整个温度范围内提供超低温漂的精确电流和电压测量。新型Si89xx系列产品基于Silicon Labs强大的第三代隔离技术，可提供灵活的电压、电流测量，并且有丰富的输出接口和封装选项，帮助开发人员降低BOM成本、减小电路板空间，适用于各种工业和绿色能源应用，包括电动汽车（EV）电池管理和充电系统、DC-DC转换器、电动机、太阳能和风力涡轮机逆变器等。
精确电流和电压测量对于功率控制系统的精确操作至关重要。为了最大限度地提高效率并对故障或负载变化快速响应，系统控制器需要来自高压供电线上的电流和电压信息。Silicon Labs的第三代隔离技术可在1414V工作电压和13kV双极性浪涌的情况下保持控制器在较宽温度范围内的安全性，并超越严格的行业要求。
Silicon Labs现在可提供业界最广泛的电流和电压传感器产品组合。Si89xx系列包括四个产品类别：
Si892x隔离模拟放大器，特别针对电流分流检测进行了优化。
Si8931/2隔离模拟放大器，特别针对通用电压检测进行了优化。
Si8935/6/7隔离DSM器件，业界首创特别针对电压检测进行了优化。
Si8941/6/7隔离DSM器件，特别针对电流分流检测进行了优化。
Silicon Labs副总裁兼电源产品总经理Brian Mirkin表示：“在过去的十年间，我们的第一代和第二代混合信号隔离技术推动我们数字隔离产品在市场上取得巨大的成功，我们在新型Si89xx器件中使用的第三代技术具有更高标准。我们的隔离产品将继续取代传统的光耦合器，并且优于竞争对手的数字隔离器，这为需要高压保护的系统设计提供了更高的浪涌性能、可靠性、集成度和一流的安全性。”
汽车电池和电机/光伏逆变器系统需要可靠的电流监视以及强大的抗噪性。与竞争对手产品相比，Si89xx器件提供了高达3倍的共模瞬变抗扰度（CMTI）。该系列器件的75kV/μs快速瞬变抗扰度可确保要求严苛的工业应用获得可靠、准确的电流数据。如果未检测到高压侧供电电压，Si89xx系列也支持向主机控制器提供故障安全指示。
Si89xx系列器件提供典型值低至±40μV的偏置误差以及±0.1％的增益误差，可实现精确测量。典型值低至±0.15μV/˚C偏置漂移，-6ppm/˚C增益漂移，这确保在整个温度范围内具有出色的精度。这些器件提供业界最高的典型值高达90dB的信噪比（SNR）。独特的低功耗模式可以在一侧电压被移除后自动将隔离栅另一侧的电流消耗降低至大约1mA，这使得控制器能够通过简单的场效应晶体管（FET）管理电源。
凭借以下特性，新一代Si89xx器件增强了设计灵活性：
具有单端、差分或DSM输出。
±62.5 mV、±250 mV或2.5V输入范围。
拉长的宽体SOIC-8封装，支持5kVrms隔离和9mm爬电距离/间隙；紧凑的窄体SOIC-8封装，支持2.5kVrms隔离。
史海拾趣
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